[发明专利]在封闭静态体系下批量制备石墨烯的方法、石墨烯及应用在审
申请号: | 201710103785.9 | 申请日: | 2017-02-24 |
公开(公告)号: | CN108502871A | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 刘立伟;徐建宝;胡俊雄;李奇;李伟伟;刘丰奎 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | C01B32/186 | 分类号: | C01B32/186 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种在封闭静态体系下批量制备石墨烯的方法、石墨烯及应用。所述方法包括:提供基底,其包括催化剂;将基底置于密封反应腔室中,并向密封反应腔室内通入碳源、氢气以及保护气体至设定压强,形成封闭静态体系,生长过程不再向该封闭静态体系内充入任何气体,系统完全封闭,再将封闭静态体系升温至反应温度,使碳源与催化剂充分接触,进行高温催化分解反应,从而在基底表面和/或内部生长形成石墨烯。本发明工艺简单易操作,生长气氛均匀,单层窗口大,对碳氢比例要求较低,通过调节封闭静态体系内碳氢浓度比,生长速率快,能够快速实现大批量石墨烯的制备,在集成电路、光电器件、传感器、太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 静态体系 石墨烯 封闭 密封反应 批量制备 基底 碳氢 催化剂 压强 应用 太阳能电池 保护气体 比例要求 充分接触 分解反应 高温催化 光电器件 基底表面 生长过程 生长气氛 完全封闭 氢气 生长 传感器 浓度比 单层 腔室 制备 集成电路 室内 | ||
【主权项】:
1.一种在封闭静态体系下批量制备石墨烯的方法,其特征在于包括:提供基底,所述基底包括催化剂;将所述基底置于密封反应腔室中,并向所述密封反应腔室内通入碳源、氢气以及保护气体至设定压强,形成封闭静态体系,再将所述封闭静态体系升温至800~1060℃,使所述碳源与所述催化剂充分接触,进行高温催化分解反应,从而在所述基底表面和/或内部生长形成石墨烯。
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