[发明专利]ISFET测量探测器、用于ISFET测量探测器的测量电路、和方法在审
| 申请号： | 201710104038.7 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN107121476A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | I·A·沙伊德尔;P·霍恩 | 申请（专利权）人： | 梅特勒-托莱多有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 瑞士格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有壳体的ISFET测量探测器，在所述壳体中以这种方式布置ISFET和参考电极，使得所述ISFET的被涂覆有离子敏感层的栅极电极和所述参考电极伸进能够将测量介质引入至其中的测量空间，其特征在于，辅助电极附加地布置在所述壳体内并且保持在所述测量空间内。 | ||
| 搜索关键词： | isfet 测量 探测器 用于 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种具有壳体(G)的ISFET测量探测器(M)，在所述壳体(G)中，ISFET(T)和参考电极(RE)布置成使得所述ISFET(T)的覆盖有离子敏感层的栅极电极(TG)和所述参考电极(RE)伸进内部能够引入测量介质(L)的测量空间(MR)，其特征在于，在所述壳体(G)内附加地布置有保持在所述测量空间(MR)内的辅助电极(AUX)。
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