[发明专利]n+-GeSn/i-GeSn/p+-Ge结构光电探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种n+‑GeSn/i‑GeSn/p+‑Ge结构光电探测器及其制备方法。该方法包括：选取Si衬底；生长Ge材料，制备保护层；对整个衬底进行加热，并采用激光工艺晶化整个衬底，冷却使Ge材料形成晶化Ge层，去除保护层；对晶化Ge层进行离子注入形成P型晶化Ge层；连续生长本征GeSn层、N型Ge层；在N型Ge层表面分别刻蚀形成水平截面为第一矩形、第二梯形和第二矩形的台状结构；在器件部分制作接触孔，并在接触孔中淀积金属以完成互连制备，最终形成光电探测器。本发明实施例光电探测器可减少暗电流，并克服了垂直入光型光探测器中高速响应与量子效率矛盾，同时保证了高速率和高量子效率。

主权项

1.一种n+‑GeSn/i‑GeSn/p+‑Ge结构光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：选取Si衬底；在所述Si衬底表面生长Ge材料，并在所述Ge材料表面制备保护层；对整个衬底进行加热，并采用激光工艺晶化整个衬底，冷却使所述Ge材料形成晶化Ge层，去除所述保护层形成Ge/Si虚衬底；对所述晶化Ge层进行离子注入形成P型晶化Ge层；在所述晶化Ge层表面连续生长本征GeSn层、N型Ge层；在所述N型Ge层表面分别刻蚀形成水平截面为第一矩形、第二梯形和第二矩形的台状结构；其中，所述第一矩形的台状结构形成波导区，所述第二梯形的台状结构形成耦合结构，所述第二矩形的台状结构形成器件部分；在所述器件部分制作接触孔，并在所述接触孔中淀积金属以完成互连制备，最终形成所述光电探测器。