[发明专利]一种高储能高击穿场强微晶玻璃材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201710105137.7 | 申请日： | 2017-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN106865988A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 王甲亮;王甲林 | 申请（专利权）人： | 郑州坤博科技有限公司 |
| 主分类号： | C03C10/00 | 分类号： | C03C10/00;C03C4/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 450000 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高储能高击穿场强微晶玻璃材料，该微晶玻璃材料的原料化学组成为aLa2O3‑bZrO2‑cNb2O5‑dCaO‑eSiO2‑fB2O3‑gSrF2，其中，按摩尔百分比计0.05≤a≤0.15，0.02≤b≤0.10，0.15≤c≤0.2，0.1≤d≤0.2，0.3≤e≤0.5，f=0.05，0.02≤g≤0.1，且a+b+c+d+e+f+g=1；由本发明方法所制备的微晶玻璃材料的击穿场强高达1200KV/cm，储能密度高达13J/cm3，介电常数高达800‑1200，能够在工业上应用于高储能密度电容器中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高储能高 击穿 场强 玻璃 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高储能高击穿场强微晶玻璃材料，其特征在于，该微晶玻璃材料的原料化学组成为：aLa2O3‑bZrO2‑cNb2O5‑dCaO‑eSiO2‑fB2O3‑gSrF2，其中，按摩尔百分比计0.05≤a≤0.15，0.02≤b≤0.10，0.15≤c≤0.2，0.1≤d≤0.2，0.3≤e≤0.5，f=0.05，0.02≤g≤0.1，且a+b+c+d+e+f+g=1。
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