[发明专利]一种Te/PbTe异质结纳米薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种Te/PbTe异质结纳米薄膜的制备方法。利用电沉积的方法将PbTe沉积在电极表面，形成一种载体薄膜，把电极浸入0.1mol/L的NaNO₃溶液中，再利用电化学方法氧化电极，最后取出电极，电极上就氧化出Te/PbTe异质结纳米薄膜。本发明方法制备过程非常高效简单，且所制得的Te/PbTe异质结纳米薄膜相比PbTe纳米薄膜具有更高的光电转换效率，成本低廉，易于大规模推广生产。

主权项

1.一种Te/PbTe异质结纳米薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：(1)将事先裁好的氧化铟锡导电玻璃电极依次用分析纯丙酮、分析纯乙醇和二次水各超声清洗5 min，最后空气干燥后制得基体电极；(2)量取9ml浓度为0.1mol/L的H₂SO₄溶液，置于20 mL烧杯中建立三电极体系，其中步骤(1)制得的基体电极作为工作电极，Ag/AgCl为参比电极，Pt为辅助电极，用恒电位法进行还原，电位设为‑0.95V，时间为30s，还原结束后，取出工作电极，其表面有还原析出的In₂O₃薄层，制得In₂O₃薄层基片；(3)依次量取1mL浓度为0.2 mol/L的Pb(NO₃)₂溶液、1mL浓度为0.2 mol/L的EDTA溶液、4mL浓度为0.04mol/L的TeO₂溶液和4mL浓度为1.25 mol/L的Na₂SO₄溶液一起置于20 mL烧杯中混合均匀，配制得到电沉积PbTe薄膜底液；(4)在步骤(3)配制的电沉积PbTe薄膜底液中建立三电极体系，其中，步骤(2)制得的In₂O₃薄层基片作为工作电极，Ag/AgCl为参比电极，Pt为辅助电极，用循环伏安法进行电沉积，扫描范围为‑1~0V，扫描速度为0.05V/s，扫描段数为20~30段，沉积结束后，取出工作电极，其表面上就沉积出PbTe薄膜，制得PbTe薄膜基片；(5)量取9mL浓度为0.1mol/L的NaNO₃溶液，置于20 mL烧杯中，把步骤(4)制得的PbTe薄膜基片作为工作电极，Ag/AgCl为参比电极，Pt为辅助电极，用循环伏安法进行氧化处理，扫描范围为0~1V，扫描速度为0.1V/s，扫描段数为6~20段，氧化结束后，取出工作电极，其表面上就得到Te/PbTe薄膜，即制得Te/PbTe异质结纳米薄膜。