[发明专利]一种氮化硼掺杂含氟硅环氧基聚合物封装材料制备方法在审
申请号: | 201710105501.X | 申请日: | 2017-02-26 |
公开(公告)号: | CN106832948A | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 苏州思创源博电子科技有限公司 |
主分类号: | C08L83/06 | 分类号: | C08L83/06;C08L83/07;C08L83/05;C08K7/00;C08K3/38 |
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地址: | 215009 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种氮化硼掺杂含氟硅环氧基聚合物封装材料制备方法,本发明通过自由基及水解缩合的过程制备的含氟硅环氧基聚合物,同时具备了有机硅、有机氟的性质,并用其对脂环族环氧树脂改性,赋予了封装材料优异的耐候性及表面性能,使得封装材料在固化后的内应力变化值范围较小,机械性能和耐冲击性能优良;所述制备方法还在所述电子封装材料中掺杂氮化硼纳米片,使得封装材料具有良好的分散性、相容性和耐热性。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化 掺杂 含氟硅环氧基 聚合物 封装 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种氮化硼掺杂含氟硅环氧基聚合物封装材料制备方法,该方法包括如下步骤:(1)制备含氟硅环氧基聚合物将30‑45重量份含脂环族环氧基丙烯酸单体、10‑20重量份乙烯基硅烷单体及50‑100重量份丙酮混合,磁力搅拌均匀,在氮气保护下加热至温度50‑80℃,待温度恒定后加入引发剂2‑5重量份,继续加热3‑5h,将得到的产物进行旋蒸,除去溶剂及副产物后,得到产物含环氧基聚硅氧烷;将上述含环氧基聚硅氧烷5‑15重量份、10‑35重量份含氟基硅氧烷、水、催化剂及50‑100重量份丙酮混合,搅拌均匀,加热升温至60‑90℃,在氮气下反应5‑8h,将产物旋蒸除去溶剂和副产物,得到含氟硅环氧基聚合物,(2)制备氮化硼纳米片将氮化硼粉末加入到DMF溶液中混合均勻,然后在离心机中离心,去掉底部未剥离的氮化硼粉末,收集上层的混合溶液,然后去除溶剂,在真空烘箱中进行干燥,获得氮化硼纳米片;(3)按照如下重量份配料:乙烯基含氢硅树脂 3‑5份上述氮化硼纳米片 3‑6份甲基纳迪克酸酐 1‑1.5份上述含氟硅环氧基聚合物 18‑20份钛酸酯类偶联剂 0.5‑1份含氢硅油交联剂 1‑3份;(4)按上述组分按比例混合均匀,加热搅拌至混合均匀,将混合物在真空脱泡机中进行脱泡,脱泡时间为5‑7h;将所述脱泡后的混合物加入到双螺杆挤出机的料斗中,螺杆转速设定为600‑800r/min,经过熔融挤出,水冷切粒得到粒料;接着,进行低温加压干燥,用注塑机注塑成型,制备得到氮化硼掺杂含氟硅环氧基聚合物封装材料。
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