[发明专利]一种高功率半导体激光器的封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710105887.4 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN106711754A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 刘兴胜;封飞飞;高立军;梁雪杰;舒东平 | 申请（专利权）人： | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/024 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市高新区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高功率半导体激光器的封装结构，包括制冷器、以及半导体激光器单元；其中，所述半导体激光器单元由激光芯片、以及与所述激光芯片键合的起导电散热作用的衬底组成；所述衬底为具有多个热膨胀系数的一体式多层复合衬底，通过焊料键合到所述制冷器上，所述衬底各层的热膨胀系数自激光芯片端到制冷器端呈增大趋势。本发明还提供一种高功率半导体激光器的制备方法，基于本发明提供的高功率半导体激光器的封装结构及其制备方法，能够有效地平衡激光芯片P面受到的热应力，大大降低激光器的近场非线性效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体激光器 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高功率半导体激光器的封装结构，其特征在于，包括：制冷器、以及半导体激光器单元；其中，所述半导体激光器单元由激光芯片、以及与所述激光芯片键合的起导电散热作用的衬底组成；所述衬底为具有多个热膨胀系数的一体式多层复合衬底，通过焊料键合到所述制冷器上，所述衬底各层的热膨胀系数自激光芯片端到制冷器端呈增大趋势。
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