[发明专利]一种铁磁半导体材料的单晶生长方法有效
| 申请号： | 201710106168.4 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108505109B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 靳常青;赵国强;邓正 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B9/12 | 分类号： | C30B9/12;C30B29/10;H01F1/40;H01F41/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅;赵岩 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供一种铁磁半导体材料的单晶生长方法，所述铁磁半导体材料的化学式为(Ba |
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| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁磁半导体材料的单晶生长方法，所述铁磁半导体材料的化学式为(Ba1‑xKx)(Zn1‑yMny)2As2，0
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