[发明专利]一种MOS管的工艺角检测方法有效
| 申请号： | 201710106247.5 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN108508340B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 黄正太;杨家奇;黄正乙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;H03K3/03 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张振军;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MOS管的工艺角检测方法，所述工艺角检测方法包括：提供环形振荡器，所述环形振荡器包括奇数个串联成环的振荡单元，其中一个振荡单元的输出端作为所述环形振荡器的输出端，并输出振荡信号，其中，每一个所述振荡单元基于PMOS管和NMOS管构建；测量所述振荡信号的周期，以及所述振荡信号在每个周期内高电平和低电平的维持时间；根据所述振荡信号的周期，以及所述振荡信号在每个周期内高电平和低电平的维持时间，确定所述振荡单元中PMOS管和NMOS管的工艺角。本发明可以改善MOS管的工艺角检测的完备性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 工艺 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOS管的工艺角检测方法，其特征在于，包括：提供环形振荡器，所述环形振荡器包括奇数个串联成环的振荡单元，其中一个振荡单元的输出端作为所述环形振荡器的输出端，并输出振荡信号，其中，每一个所述振荡单元基于PMOS管和NMOS管构建；测量所述振荡信号的周期，以及所述振荡信号在每个周期内高电平和低电平的维持时间；根据所述振荡信号的周期，以及所述振荡信号在每个周期内高电平和低电平的维持时间，确定所述振荡单元中PMOS管和NMOS管的工艺角。
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