[发明专利]具有变化阈值电压的半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710106827.4 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN107134455B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 巴拉·坎南;光允;西德斯·克里斯南;安藤孝;夫亚·纳拉瓦纳恩 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有变化阈值电压的半导体装置及其制造方法，其提供半导体装置制造方法，包括：设置结构，该结构具有至少一个区域并包括设于衬底上方的介电层；在该介电层上方形成包括阈值电压调整层的多层堆叠结构，该多层堆叠结构包括位于该至少一个区域的第一区域中的第一阈值电压调整层、以及位于该至少一个区域的第二区域中的第二阈值电压调整层；以及退火该结构以定义该至少一个区域的变化阈值电压，该退火促进至少一个阈值电压调整种类自该第一阈值电压调整层及该第二阈值电压调整层扩散进入该介电层中，其中，该第一区域的阈值电压独立于该第二区域的该阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 变化 阈值 电压 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，该方法包括：设置结构，该结构具有至少一个区域并包括设于衬底上方的介电层；在该介电层上方形成包括阈值电压调整层的多层堆叠结构，该多层堆叠结构包括位于该至少一个区域的第一区域中的第一阈值电压调整层、以及位于该至少一个区域的第二区域中的第二阈值电压调整层；以及退火该结构以定义该至少一个区域的变化阈值电压，该退火促进至少一个阈值电压调整种类自该第一阈值电压调整层及该第二阈值电压调整层扩散进入该介电层中，其中，该第一区域的阈值电压独立于该第二区域的该阈值电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
