[发明专利]半导体器件

摘要

根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件可以包括：衬底；垂直于衬底的上表面延伸的源/漏区；在衬底上并且彼此分离的多个纳米片；以及在衬底上的栅电极和栅绝缘层。纳米片限定在源/漏区之间在第一方向上延伸的沟道区。栅电极围绕纳米片并且在交叉第一方向的第二方向上延伸。栅绝缘层在纳米片和栅电极之间。栅电极在第一方向上的长度可以大于纳米片中的相邻纳米片之间的间隔。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上的源/漏区，所述源/漏区垂直于所述衬底的上表面延伸；在所述源/漏区之间的所述衬底上的多个纳米片，所述多个纳米片彼此分离，并且所述多个纳米片限定在第一方向上延伸的沟道区；在所述衬底上并且围绕所述多个纳米片的栅电极，所述栅电极在交叉所述第一方向的第二方向上延伸，所述栅电极包括在所述第一方向上的长度，所述长度大于所述多个纳米片中的相邻纳米片之间的间隔；以及在所述多个纳米片和所述栅电极之间在所述衬底上的栅绝缘层。