[发明专利]半导体装置及其制造方法、倒装芯片型半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201710107328.7 | 申请日: | 2017-02-27 |
公开(公告)号: | CN107134414B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 曾我恭子;浅井聪 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李英艳;张永康 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体装置的制造方法,所述半导体装置的基板彼此或基板与元件的粘接良好,且它们的电性连接也良好。所述制造方法具备以下步骤:准备设置有衬垫或在衬垫上更设置有插头的第一基板与设置有插头的第二基板或元件;在第一基板的衬垫或插头及第二基板或元件的插头的至少一个上形成焊球;利用感光性绝缘层覆盖第一基板的衬垫形成面及第二基板或元件的插头形成面的至少一个;利用光刻在被感光性绝缘层覆盖的基板或元件中的衬垫或插头上形成开口;通过开口将第二基板或元件的插头经由焊球压接接合至第一基板的衬垫或插头;根据烘烤将第一基板的衬垫或插头与第二基板或元件的插头电性连接;利用烘烤将感光性绝缘层固化。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 倒装 芯片 | ||
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,所述半导体装置具备积层多层半导体电路层而构成的三维积层结构,所述半导体装置的制造方法的特征在于,具有以下步骤:准备第一基板与第二基板或第二元件,所述第一基板上设置有暴露于基板的外部的导电性连接部也就是电极衬垫、或更设置有从该电极衬垫突出的由导电性材料构成的导电性插头,所述第二基板或第二元件积层在该第一基板上,且设置有暴露于基板或元件的外部的由导电性材料构成的导电性插头;在前述第一基板的电极衬垫或导电性插头、及前述第二基板或前述第二元件的导电性插头中的至少一个上形成焊球;利用感光性绝缘层来覆盖前述第一基板的形成有电极衬垫的面、及前述第二基板或前述第二元件的形成有导电性插头的面中的至少一个面;根据使用掩模的光刻,在前述被感光性绝缘层覆盖的基板或元件中的电极衬垫或导电性插头上形成开口部;通过前述形成的开口部,并经由前述焊球将前述第二基板或前述第二元件的导电性插头压接接合于前述第一基板的电极衬垫或导电性插头;根据熔融前述焊球的烘烤,将前述第一基板的电极衬垫或导电性插头与前述第二基板或前述第二元件的导电性插头固接并且电性连接;以及,利用烘烤将前述感光性绝缘层固化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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