[发明专利]一种热分解制备二氧化硅钝化层的方法有效
申请号: | 201710107405.9 | 申请日: | 2017-02-27 |
公开(公告)号: | CN106653953B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 孙铁囤;汤平;姚伟忠 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 王美华;任晓岚 |
地址: | 213002 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于新能源领域,具体涉及一种热分解制备二氧化硅钝化层的方法。将偏硅酸、虫胶、稀释剂混合而成的粘稠状胶液均匀涂刷在扩散后的硅片表面并烘干,再将该硅片于高温的惰性气体环境中放置一段时间后,即完成硅片表面的钝化。虫胶在自身受热分解的过程中促进了偏硅酸分解所得的二氧化硅与硅片基底的相容程度,防止所生成的二氧化硅脱落,提高了钝化层的结合力和稳定性。 | ||
搜索关键词: | 二氧化硅钝化层 二氧化硅 硅片表面 偏硅酸 热分解 硅片 虫胶 制备 稀释剂 惰性气体环境 新能源领域 粘稠状胶液 分解 受热 钝化层 结合力 烘干 钝化 基底 涂刷 相容 扩散 | ||
【主权项】:
1.一种热分解制备二氧化硅钝化层的方法,其特征在于:所述的制备方法为,(1)将偏硅酸、虫胶、稀释剂混合后充分搅拌,得到粘稠状胶液;(2)将步骤(1)得到的粘稠状胶液均匀涂刷在扩散后的硅片表面并烘干,再将该硅片于高温的惰性气体环境中放置一段时间后,自然冷却,所述的高温的惰性气体环境中,温度为300~400℃,硅片于高温的惰性气体环境中的放置时间为15~25分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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