[发明专利]单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201710108491.5 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108505111B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 细田浩二;古川纯 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张雨;刘林华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶的制造方法，其为一种利用在供给有惰性气体的腔室(11)内配置坩埚(15)及气体整流筒(17)的单晶提拉装置(10)，依据切克劳斯基法从坩埚内的半导体熔融液(L)提拉半导体单晶(C)的方法，其中，气体整流筒的下端邻近配置在半导体熔融液表面，气体整流筒的内表面朝向下方缩径，气体整流筒的内表面下端成为最邻近半导体单晶表面的大致圆周状最邻近部(17b)，并且进行了倒角，调整在最邻近部与半导体单晶之间流动的惰性气体的流速来控制晶体中的氧浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶制造方法，其为一种利用在供给有惰性气体的腔室内配置坩埚，且配置大致圆筒状气体整流筒的单晶提拉装置，依据切克劳斯基法从所述坩埚内的半导体熔融液提拉半导体单晶的方法，所述大致圆筒状气体整流筒在所述坩埚的上方与该坩埚同轴配置且使所述惰性气体流通并引导至所述半导体熔融液表面，其特征在于，所述气体整流筒的下端邻近配置在所述半导体熔融液表面，所述气体整流筒的内表面朝向下方缩径，所述气体整流筒的内表面下端成为最邻近所述半导体单晶表面的最邻近部并且进行了倒角，调整在所述最邻近部与所述半导体单晶之间流动的惰性气体的流速来控制晶体中的氧浓度。
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