[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201710109751.0 申请日: 2012-06-20
公开(公告)号: CN106845283A 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 押田大介;广川祐之;山崎晓;藤森隆;塩田茂雅;古田茂 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: G06F21/72 分类号: G06F21/72
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 申发振
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在相关领域内的半导体装置具有所存储的保密信息的安全性是不足的。本发明的半导体装置具有装置所独有的唯一码并且根据该唯一码来生成唯一码对应信息。该半导体装置具有其中通过加密保密信息而获得的特定信息被存储于与唯一码对应信息关联的区域内的存储区域。从存储区域中读取的特定信息用唯一码对应信息来加密以生成保密信息。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,包括:唯一码生成电路,其包括静态随机存取存储器SRAM,生成多个唯一码并输出来自所述多个唯一码中的一个唯一码,所述唯一码在所述随机存取存储器启动时使用初始值生成;唯一码对应信息生成电路,根据所述一个唯一码来生成唯一码对应信息;存储区域,其具有多个存储区,每个存储区被分配以预先确定的地址,其中与每个预先确定的地址相关联的特定信息通过以所述多个唯一码加密保密信息而获得,所述多个唯一码也分别被存储于所述多个存储区中,并且所述多个唯一码的被分配的地址由所述唯一码对应信息指示;以及解密电路,其用所述一个唯一吗解密通过使用所述唯一码对应信息从一个存储区中读取的所述特定信息以便生成所述保密信息。
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