[发明专利]针对MAMR头可靠性的STO偏置控制有效
| 申请号： | 201710111715.8 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN107527632B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 田中秀明;渡边克朗;田所茂;木村亘;丸山洋治 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G11B5/48 | 分类号： | G11B5/48;G11B5/31 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | MAMR头包括主磁极、定位于所述主磁极上方的自旋力矩振荡器(STO)、以及耦合至所述主磁极的写入线圈。所述STO在磁性介质上生成高频磁场。控制器被配置成用于：向所述STO提供处于第一偏置电流水平的第一偏置电流，并进一步向所述STO提供处于第二偏置电流水平的第二偏置电流。控制器进一步被配置成用于对所述第二偏置电流进行定时以与所述写入线圈内的电流过冲一致。 | ||
| 搜索关键词： | 针对 mamr 可靠性 sto 偏置 控制 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录装置，包括：磁场辅助磁记录头即MAMR头，包括主磁极、定位于所述主磁极上方的自旋力矩振荡器即STO、以及耦合至所述主磁极的写入线圈，以及控制器，所述控制器操作性耦合至所述MAMR头；其中，所述STO在磁性介质上生成高频磁场，所述控制器被配置成用于向所述STO提供处于第一偏置电流水平的第一偏置电流，所述控制器被配置成用于进一步向所述STO提供处于第二偏置电流水平的第二偏置电流，并且所述控制器被配置成用于对所述第二偏置电流进行定时以与所述写入线圈内的电流过冲一致，其中所述第二偏置电流包括从所述第一偏置电流水平到所述第二偏置电流水平的第二偏置电流斜升、在所述第二偏置电流水平处的第二偏置电流饱和、以及从所述第二偏置电流水平到所述第一偏置电流水平的第二偏置电流斜降，并且所述电流过冲包括过冲斜升、过冲饱和、以及过冲斜降，并且其中：所述电流过冲的所述过冲斜升和所述过冲饱和的时间范围是在所述第二偏置电流饱和的时间范围之内或者等于所述第二偏置电流饱和的时间范围。
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