[发明专利]用于高功率半导体激光器的热沉以及制备方法在审
申请号: | 201710112965.3 | 申请日: | 2017-02-28 |
公开(公告)号: | CN106602401A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 丛海兵;郝明明;牟中飞;陶丽丽;招瑜;李京波 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 510062 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请提供了一种用于高功率半导体激光器的热沉,包括金刚石基底;制备于所述金刚石基底表面的金属层;在所述金属层表面制备有用于焊接激光器芯片的焊接层。本发明使用高热导率的金刚石材料为基底制作热沉,提高半导体激光器芯片工作时的散热效率,降低芯片的工作温度,解决了高功率激光器芯片的散热不佳的技术问题。本申请还提供了一种用于高功率半导体激光器的热沉的制备方法,达到相同效果。 | ||
搜索关键词: | 用于 功率 半导体激光器 以及 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于高功率半导体激光器的热沉,其特征在于,包括:金刚石基底;制备于所述金刚石基底表面的金属层;在所述金属层表面制备有用于焊接激光器芯片的焊接层。
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