[发明专利]氯硅化物的纯化方法和纯化系统

摘要

本发明提供了一种氯硅化物的纯化方法和纯化系统。氯硅化物为含有硼磷杂质的二氯二氢硅、三氯氢硅或四氯化硅，纯化方法包括：步骤S1，对氯硅化物进行第一次精馏，得到精馏液相氯硅化物；步骤S2，利用吸附剂对精馏液相氯硅化物进行处理，得到吸附后液相氯硅化物，其中，吸附剂具有自由水或结晶水，自由水或结晶水与硼磷杂质发生水解反应生成高沸物，部分高沸物存在于吸附后液相氯硅化物中；以及步骤S3，对吸附后液相氯硅化物进行第二次精馏，得到纯化的氯硅化物。吸附剂中的水与硼磷杂质发生水解反应生成高沸物，易于和氯硅化物分离，分离效率较高，该纯化方法的分离效果较好，能够使纯化的氯硅化物中硼磷杂质含量在0.05～0.5ppb。

主权项

1.一种氯硅化物的纯化方法，所述氯硅化物为含有硼磷杂质的二氯二氢硅、三氯氢硅或四氯化硅，其特征在于，所述纯化方法包括：步骤S1，对氯硅化物进行第一次精馏，得到精馏液相氯硅化物；步骤S2，利用吸附剂对所述精馏液相氯硅化物进行处理，得到吸附后液相氯硅化物，其中，所述吸附剂具有自由水或结晶水，所述自由水或所述结晶水在所述吸附剂中的重量含量为2～10％，所述自由水或所述结晶水与所述硼磷杂质发生水解反应生成高沸物，部分所述高沸物存在于所述吸附后液相氯硅化物中；以及步骤S3，对所述吸附后液相氯硅化物进行第二次精馏，得到纯化的氯硅化物；其中，所述吸附剂为水合氧化物，所述水合氧化物为水合氧化铝和水合氧化铁；所述步骤S2在吸附反应装置中进行，所述吸附剂设置在所述吸附反应装置的填料床中，所述吸附反应装置的长径比为10～20:1；所述步骤S2进行过程中，所述吸附反应装置内压力为5～50KPa、温度为10～50℃。