[发明专利]外延生长晶圆及其制造方法有效
| 申请号： | 201710113065.0 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108505114B | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 长谷川博之 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B29/64;C30B25/20;C30B15/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张雨;刘林华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种减少了外延缺陷的外延生长晶圆。该制造方法具备如下工序：获得在进行切片时的整个切断面不存在大面积位错缺陷的单晶硅锭的工序；将所述单晶硅锭进行切片，以在其表面进行镜面抛光而获得晶圆基板的工序；及在所述晶圆基板的表面使硅单晶的膜生长以形成外延膜的工序。在形成所述外延膜的工序中，配置与所述晶圆基板的表面的内周部对置的表面内周侧加热器、与所述晶圆基板的表面的外周部对置的表面外周侧加热器、与所述晶圆基板的背面的内周部对置的背面内周侧加热器、与所述晶圆基板的背面的外周部对置的背面外周侧加热器，在将所述晶圆基板的内周侧加热成高于外周侧温度的同时形成所述外延膜。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 生长 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在包括单晶硅的晶圆基板的表面上形成有包括单晶硅的外延膜的外延生长晶圆，其特征在于，所述外延膜的表面上粒径0.045μm以上的LPD的检测密度为每100cm2面积4.24个以下，并且所述外延膜的表面上粒径0.032μm以上的LPD的检测密度为每100cm2面积11.3个以下。
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