[发明专利]一种横向非对称光波导半导体激光器芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201710113980.X | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108512034B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 夏伟;苏建;朱振;李沛旭;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 叶亚林 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向非对称光波导半导体激光器芯片及其制备方法。本发明所述横向非对称光波导半导体激光器芯片，控制腐蚀发光区两侧不同深度，使发光区两侧横向光波导区域面积相同，从而改变发光区两侧的有效折射率，解决了光斑中暗纹和拖尾的现象；在生产中应用有效提高大功率激光器光斑合格率95％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 对称 波导 半导体激光器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向非对称光波导半导体激光器芯片，其特征在于，包括发光区、外延层和衬底；所述发光区为设置在外延层上的条形凸台；所述条形凸台两侧的高度不同，左侧高度为h1，右侧高度为h2；所述条形凸台上表面平行于外延层表面；所述发光区的两侧设置有光波导区。
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