[发明专利]一种正性光刻胶的去除方法在审
| 申请号： | 201710113991.8 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108508711A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 王建华;王晓萌;李晓明;刘琦;闫宝华;汤福国 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 陈桂玲 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种正性光刻胶的去除方法。该方法包括，将形成光刻有效电极图形后的LED晶片在无掩膜遮挡的情况下用紫外光曝光，将曝光完全的LED晶片置于显影液中，在超声条件下进行显影，通过超声震荡与曝光显影结合去除晶片表面残留的正性光刻胶。本发明能容易地彻底去除LED晶片上的正性光刻胶，同时LED基板材料损伤小，弱碱性显影液可以重复利用多次，保护环境同时降低了材料的消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 正性光刻胶 去除 显影液 紫外光曝光 超声条件 超声震荡 晶片表面 曝光显影 有效电极 重复利用 弱碱性 光刻 显影 掩膜 遮挡 损伤 残留 消耗 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种正性光刻胶的去除方法,用于构图后LED晶片上光刻胶的去除，包括：提供形成光刻有效电极图形的LED晶片，所述有效电极图形上有待去除的正性光刻胶；提供一曝光机，提供一超声装置，该超声装置有一槽，用于盛放显影液；将所述的形成光刻有效电极图形后的LED晶片置于所述曝光机承片台上，在无掩膜遮挡的情况下用紫外光直接照射LED晶片表面对正性光刻胶曝光，使残留正性光刻胶曝光完全；将曝光完全的LED晶片置于所述超声装置的盛有显影液的槽中，同时打开超声装置，在超声条件下进行显影，通过超声震荡与曝光显影结合去除晶片表面残留的正性光刻胶。
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