[发明专利]高热导率氮化硅陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 201710114192.2 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN106747474B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 宋晓超;张天宇;何东;张天舒 | 申请（专利权）人： | 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/64 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 周超 |
| 地址： | 230012 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种高热导率氮化硅陶瓷的制备方法，包括以下步骤：1)按重量份数计算，称取氮化硅70～80份、稀土氧化物5～10份与烧结助剂2～6份混合均匀，加入至球磨机中，形成混合粉料，然后在电热真空干燥箱中110～120℃温度下连续干燥，完全干燥后在温度为‑20℃～0℃条件下，氢气气流中过筛，得到复合粉料；2)将步骤1)得到的复合粉料装入放电等离子烧结装置的石墨模具中，抽真空后进行放电等离子烧结，加热速度为10～15K/s，加热温度为1450～1700℃，保温时间为3～8min，获得致密的氮化硅陶瓷；其中，所述烧结助剂为氧化铝、氧化锰与氧化硼的混合物。该制备方法可以净化氮化硅晶粒，提高热导率。 | ||
| 搜索关键词： | 高热 氮化 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高热导率氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)按重量份数计算，称取氮化硅70～80份、稀土氧化物5～10份与烧结助剂2～6份混合均匀，加入至球磨机中，形成混合粉料，然后在电热真空干燥箱中110～120℃温度下连续干燥，完全干燥后在温度为‑20℃～0℃条件下，氢气气流中过筛，得到复合粉料；2)将步骤1)得到的复合粉料装入放电等离子烧结装置的石墨模具中，抽真空后进行放电等离子烧结，加热速度为10～15K/s，加热温度为1450～1700℃，保温时间为3～8min，获得致密的氮化硅陶瓷；其中，所述烧结助剂为氧化铝、氧化锰与氧化硼的混合物。
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