[发明专利]一种高效散热的单芯半导体激光器封装结构及方法有效
| 申请号： | 201710115199.6 | 申请日： | 2017-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN106898944B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李林森 | 申请（专利权）人： | 苏州达沃特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/022 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215500 江苏省苏州市常熟*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于光电技术领域，公开了一种高效散热的单芯半导体激光器封装结构，包括基座、氮化铝压件、弹簧卡扣、芯片负极缓冲铟片、芯片正极缓冲铟片；还包括分别与激光器正极、负极相连的铜电极片，所述铜电极片与所述氮化铝压片连接；所述铜电极片与所述芯片正极缓冲铟片连接，所述激光器负极相连的铜电极片与所述芯片负极缓冲铟片连接，克服现有产品生产工艺成本高，激光器芯片热传导差的问题，提高了半导体激光芯片的散热性能和光电转换效率，增加了激光器单点发光的功率和激光器的使用寿命，同时为激光器的后期维护和组装提供了方便，降低了半导体激光器生产装配的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 散热 半导体激光器 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高效散热的单芯半导体激光器封装结构，其特征在于：包括基座、氮化铝压件、弹簧卡扣、芯片负极缓冲铟片、芯片正极缓冲铟片；所述芯片负极缓冲铟片位于所述氮化铝压件与激光器芯片之间，所述芯片正极缓冲铟片位于所述基座与所述氮化铝压件之间，所述弹簧卡扣设置于所述氮化铝压件的上面；还包括分别与激光器正极、负极相连的铜电极片，所述铜电极片与所述氮化铝压件连接；与激光器正极相连的铜电极片与所述芯片正极缓冲铟片连接，与激光器负极相连的铜电极片与所述芯片负极缓冲铟片连接。
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