[发明专利]一种柔性衬底上大面积金属纳米针尖阵列的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710115318.8 申请日: 2017-03-01
公开(公告)号: CN106809802B 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: 孟秋实;郭进;曹国威;周杰;王俊 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00;B82Y40/00
代理公司: 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 代理人: 王志兴
地址: 230000 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种柔性衬底上大面积金属纳米针尖阵列的制备方法,包括如下步骤:(1)在硅片衬底上蒸镀金属铬薄膜,旋涂光刻胶;(2)使用曝光‑显影‑定影工艺制备具有孔洞阵列的光刻胶图案;(3)用硝酸铈铵去除没有光刻胶图案保护的金属铬薄膜,暴露底部的硅衬底表面;(4)对硅片样品用碱溶液刻蚀,得到倒金字塔形的硅孔洞阵列;(5)在样品表面沉积金属薄膜,使用胶带粘去硅片表面的铬金属层以及沉积的金属薄膜;(6)用柔性软模材料浇筑硅片表面,再用碱溶液腐蚀样品,最后得到柔性衬底上的大规模金属纳米针尖阵列。本发明的优点在于:提供了一种大规模、低成本、性能良好的的柔性衬底上大面积金属纳米针尖阵列的制备方法。
搜索关键词: 一种 柔性 衬底 大面积 金属 纳米 针尖 阵列 制备 方法
【主权项】:
1.一种柔性衬底上金属纳米针尖阵列的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在干净的硅片衬底上蒸镀金属铬薄膜,并旋涂光刻胶;其中,硅片衬底为表面晶向为[100]的硅片,光刻胶为电子束光刻胶或深紫外光刻胶,光刻胶旋涂的转速为2000‑6000rpm;(2)使用曝光‑显影‑定影工艺在步骤(1)得到的样品上制备具有孔洞阵列的光刻胶图案;(3)使用0.1‑0.5g/mL硝酸铈铵溶液刻蚀去除步骤(2)中得到的没有光刻胶图案保护的金属铬薄膜,形成铬金属掩膜层,其孔洞区域暴露底部的硅衬底表面;(4)对步骤(3)得到的覆盖有铬金属掩膜层的硅片样品用20%‑50%的氢氧化钾或氢氧化钠溶液进行刻蚀,刻蚀温度为20‑100℃,得到倒金字塔形的硅孔洞阵列;(5)在步骤(4)得到的样品表面沉积金属薄膜,并使用胶带粘去硅片表面的铬金属层以及新沉积的金属薄膜;(6)用柔性软模材料浇筑在步骤(5)得到的硅片表面,待其固化成型,再用碱溶液腐蚀样品,使柔性软模材料脱模,最后得到柔性衬底上的金属纳米针尖阵列。
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