[发明专利]一种微通道半导体激光器芯片结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201710115702.8 申请日: 2017-02-28
公开(公告)号: CN108512031B 公开(公告)日: 2020-02-14
发明(设计)人: 苏建;朱振;夏伟;李沛旭;徐现刚 申请(专利权)人: 山东华光光电子股份有限公司
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024;H01S5/343
代理公司: 37224 济南日新专利代理事务所 代理人: 王书刚
地址: 250101 山东*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种微通道激光器芯片结构及其制作方法,该芯片包括外延片,外延片包括自下至上依次设置的衬底、N限制层、量子阱有源区、AlGaInP层和GaAs层,在AlGaInP层和GaAs层上腐蚀出条形发光区,量子阱有源区及条形发光区上设置有SiO
搜索关键词: 激光器 发光区 外延片 微通道 量子阱有源区 腐蚀 金属 制作 半导体激光器芯片 微通道激光器 激光器芯片 腐蚀表面 芯片结构 依次设置 限制层 衬底 帽檐 蒸镀 芯片 侧面
【主权项】:
1.一种微通道激光器芯片结构的制作方法,所述微通道激光器芯片结构,包括外延片,外延片包括自下至上依次设置的衬底、N限制层、量子阱有源区、AlGaInP层和GaAs层,其特征是:在AlGaInP层和GaAs层上腐蚀出条形发光区,量子阱有源区及条形发光区上设置有SiO
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东华光光电子股份有限公司,未经山东华光光电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710115702.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top