[发明专利]一种微通道半导体激光器芯片结构及其制作方法有效
申请号: | 201710115702.8 | 申请日: | 2017-02-28 |
公开(公告)号: | CN108512031B | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 苏建;朱振;夏伟;李沛旭;徐现刚 | 申请(专利权)人: | 山东华光光电子股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024;H01S5/343 |
代理公司: | 37224 济南日新专利代理事务所 | 代理人: | 王书刚 |
地址: | 250101 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种微通道激光器芯片结构及其制作方法,该芯片包括外延片,外延片包括自下至上依次设置的衬底、N限制层、量子阱有源区、AlGaInP层和GaAs层,在AlGaInP层和GaAs层上腐蚀出条形发光区,量子阱有源区及条形发光区上设置有SiO | ||
搜索关键词: | 激光器 发光区 外延片 微通道 量子阱有源区 腐蚀 金属 制作 半导体激光器芯片 微通道激光器 激光器芯片 腐蚀表面 芯片结构 依次设置 限制层 衬底 帽檐 蒸镀 芯片 侧面 | ||
【主权项】:
1.一种微通道激光器芯片结构的制作方法,所述微通道激光器芯片结构,包括外延片,外延片包括自下至上依次设置的衬底、N限制层、量子阱有源区、AlGaInP层和GaAs层,其特征是:在AlGaInP层和GaAs层上腐蚀出条形发光区,量子阱有源区及条形发光区上设置有SiO
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