[发明专利]一种基于Al‑W‑Si的抗辐射电子封装材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201710115987.5 | 申请日： | 2017-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN107034389A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 李风浪 | 申请（专利权）人： | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 |
| 主分类号： | C22C21/00 | 分类号： | C22C21/00;C22C1/03 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于Al‑W‑Si的抗辐射电子封装材料及其制备方法，该电子封装材料包括Al‑W‑Si三元复合材料和含Al‑W‑Si三元复合材料粉末的高分子涂层，具体制备方法为将铝硅合金经气雾化设备制备得到铝硅合金雾化粉末，然后与W粉末球磨，得到Al‑W‑Si三元复合材料粉末；将Al‑W‑Si三元复合材料粉末装入钢制包套内，经过预压，真空除气、真空热压使之致密化，经机加工，形成Al‑W‑Si三元复合材料；将聚氨酯改性环氧树脂与Al‑W‑Si三元复合材料粉末混合，涂覆到Al‑W‑Si三元复合材料上固化，得到基于Al‑W‑Si的抗辐射电子封装材料。本发明制备的电子封装材料具有低质、高导热、低碰撞系数和抗辐射加固性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 al si 辐射 电子 封装 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于Al‑W‑Si的抗辐射电子封装材料，其特征在于：所述基于Al‑W‑Si的抗辐射电子封装材料包括Al‑W‑Si三元复合材料和含Al‑W‑Si三元复合材料粉末的高分子涂层，所述Al‑W‑Si三元复合材料中W的质量分数为20‑40％，Si的质量分数为10‑60％，其余为Al，所述高分子涂层为聚氨酯改性环氧树脂。
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