[发明专利]一种射频功率半导体器件的金属互联结构及制作方法有效
| 申请号： | 201710116002.0 | 申请日： | 2017-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN106876351B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;郝跃;李晓彤;祝杰杰;杨凌;郑雪峰 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/492;H01L23/495;H01L21/60 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频功率半导体器件的金属互联结构及制作方法，主要改善现有同类器件金属互联中存在成本高的问题。其制作过程为：在已做好源、栅、漏电极的待加工器件上生长介质；在介质层上光刻并刻蚀掉互联开孔区；在金属互联开孔区的电极和未开孔刻蚀的介质层上光刻金属互联区域，并依次淀积Ti界面、Cu导电层和W保护层，剥离后形成Ti/Cu/W三层金属堆栈结构的金属互联层；在金属互联层和介质层上生长钝化层；在钝化层上光刻并刻蚀出引线区域，完成制作。本发明降低了金属互联的制作成本，可用于制作高频大功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 功率 半导体器件 金属 联结 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种射频功率半导体器件的金属互联结构，是在半导体基片(1)上设置电极(2)，电极(2)的中间设有金属互联层(4)，半导体基片(1)之上及电极(2)和金属互联层(4)以外的区域设有介质层(3)，介质层(3)之上和金属互联层(4)的边缘及侧壁设有钝化层(5)，其特征在于：金属互联层(4)，采用由下向上依次由Ti界面层(41)、Cu导电层(42)和W保护层(43)组成的金属堆栈结构。
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