[发明专利]基板处理装置以及半导体器件的制造方法有效
申请号: | 201710116659.7 | 申请日: | 2017-03-01 |
公开(公告)号: | CN107871653B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 吉野晃生;保井毅 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供基板处理装置及半导体器件的制造方法,其目的为提高每个基板的处理均匀性。基板处理装置具有:处理基板的多个处理室;分别设于多个处理室且将基板加热至规定温度的加热部;与多个处理室连接的真空搬运室;设于真空搬运室且能够搬运多个基板的搬运机械臂;与真空搬运室连接的预真空锁室;设于预真空锁室内且支承在处理室处理后的基板的支承部;向预真空锁室供给非活性气体的非活性气体供给部;记录有冷却配方的存储装置;及控制部,在处理室中将基板加热处理至规定温度后使基板从处理室向预真空锁室搬运,并控制非活性气体供给部和存储装置,以从存储装置读出与基板温度对应的冷却配方并基于冷却配方向基板供给非活性气体来冷却基板。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其特征在于,具有:多个处理室,其对基板进行处理;加热部,其分别设置于所述多个处理室,将所述基板加热至规定温度;真空搬运室,其与所述多个处理室连接;搬运机械臂,其设置于所述真空搬运室,能够对多个所述基板进行搬运;预真空锁室,其与所述真空搬运室连接;支承部,其设置于所述预真空锁室内,对在所述处理室处理后的基板进行支承;非活性气体供给部,其向所述预真空锁室供给非活性气体;存储装置,其记录有与所述基板的温度对应的冷却配方;以及控制部,其在所述处理室中将所述基板加热处理至规定温度之后,使所述基板从所述处理室搬运到所述预真空锁室,从所述存储装置读出所述冷却配方,以使得基于所述冷却配方向所述基板供给所述非活性气体而对所述基板进行冷却的方式对所述非活性气体供给部进行控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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