[发明专利]具有屏蔽栅的沟槽栅器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种具有屏蔽栅的沟槽栅器件的制造方法，包括步骤步骤一、提供表面形成有硅外延层的硅衬底并进行光刻刻蚀形成沟槽；步骤二、形成底部氧化层和第一层多晶硅；步骤三、对第一层多晶硅进行第一次刻蚀；步骤四、对第一层多晶硅进行第二次刻蚀形成有沟槽底部的第一层多晶硅组成的多晶硅屏蔽栅；步骤五、对多晶硅屏蔽栅进行三氯氧磷扩散掺杂；步骤六、去除多晶硅屏蔽栅顶部的沟槽侧面的和沟槽外的底部氧化层；步骤七、进行热氧化工艺同时形成栅氧化层和多晶硅间氧化膜；步骤八、形成第二层多晶硅。本发明能提高IPO的厚度，从而能降低器件的漏电流和寄生电容Cgs，提高器件的性能。

主权项

一种具有屏蔽栅的沟槽栅器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供表面形成有硅外延层的硅衬底，采用光刻刻蚀工艺在所述硅外延层的栅极形成区域中形成沟槽；步骤二、在所述沟槽底部表面和侧壁表面形成底部氧化层，所述底部氧化层也延伸到所述沟槽外部的所述硅外延层表面；在所述底部氧化层表面形成第一层多晶硅，所述第一层多晶硅将所述沟槽完全填充；步骤三、对所述第一层多晶硅进行第一次刻蚀，该第一次刻蚀将所述沟槽外部的所述第一层多晶硅完全去除，将所述沟槽中的所述第一层多晶硅顶部和所述沟槽顶部相平；步骤四、对所述第一层多晶硅进行第二次刻蚀，该第二次刻蚀从所述沟槽的顶部向下对所述第一层多晶硅进行刻蚀，由所述第二次刻蚀后保留于所述沟槽底部的所述第一层多晶硅组成多晶硅屏蔽栅；步骤五、对所述多晶硅屏蔽栅进行三氯氧磷扩散掺杂，增加所述多晶硅屏蔽栅表面的掺杂浓度；步骤六、去除所述多晶硅屏蔽栅顶部的所述沟槽侧面的所述底部氧化层以及位于所述沟槽外的所述底部氧化层；步骤七、进行热氧化工艺在所述多晶硅屏蔽栅顶部的所述沟槽侧面形成栅氧化层同时在所述多晶硅屏蔽栅顶部表面形成多晶硅间氧化膜，利用步骤五中增加了所述多晶硅屏蔽栅的表面掺杂浓度的特点增加所述多晶硅屏蔽栅的表面的热氧化速率并使所述多晶硅间氧化膜的厚度增加；步骤八、形成第二层多晶硅，所述第二层多晶硅将形成有所述栅氧化层和所述多晶硅间氧化膜的所述沟槽完全填充，由填充于所述沟槽顶部的所述第二层多晶硅组成多晶硅栅。