[发明专利]掩模和使用该掩模形成的半导体装置的金属布线有效
申请号: | 201710117177.3 | 申请日: | 2017-03-01 |
公开(公告)号: | CN108535951B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 林钟锡;金铉洙;成政勋;李权宰 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;陈晓博 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种掩模和一种半导体装置的金属布线。所述掩模包括:掩模基底,包括单元曝光区域和外围曝光区域,单元曝光区域构造为使半导体装置的单元区域中的金属层曝光,外围曝光区域构造为使半导体装置的外围区域中的金属层曝光,第一掩模图案构造为使掩模基底的外围曝光区域中的金属层曝光以形成信号金属图案,第二掩模图案构造为使掩模基底的外围曝光区域中的金属层曝光以形成虚设金属图案,第二掩模图案与第一掩模图案相邻,第二掩模图案具有与第一掩模图案的宽度基本相同的宽度。 | ||
搜索关键词: | 使用 形成 半导体 装置 金属 布线 | ||
【主权项】:
1.一种掩模,所述掩模包括:掩模基底,包括单元曝光区域和外围曝光区域,单元曝光区域构造为使半导体装置的单元区域中的金属层曝光,外围曝光区域构造为使半导体装置的外围区域中的金属层曝光;第一掩模图案,构造为使掩模基底的外围曝光区域中的金属层曝光以形成信号金属图案;第二掩模图案,构造为使掩模基底的外围曝光区域中的金属层曝光以形成虚设金属图案,第二掩模图案与第一掩模图案相邻,第二掩模图案具有与第一掩模图案的宽度基本相同的宽度。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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