[发明专利]一种存储器有效
| 申请号： | 201710117402.3 | 申请日： | 2017-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN108538807B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 黄鹏;张学海;周川淼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;G11C5/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张振军;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种存储器，包括：半导体衬底；位线层，位于所述半导体衬底上，所述位线层内排布有位线；屏蔽层，位于所述位线层上，所述屏蔽层内设置有导电的屏蔽结构，所述屏蔽结构接地；字线层，位于所述屏蔽层上，所述字线层内排布有字线。本发明中存储器的写干扰较小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，其特征在于，包括：半导体衬底；位线层，位于所述半导体衬底上，所述位线层内排布有位线；屏蔽层，位于所述位线层上，所述屏蔽层内设置有导电的屏蔽结构，所述屏蔽结构接地；字线层，位于所述屏蔽层上，所述字线层内排布有字线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710117402.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有减小的杂散电感的封装半导体器件和模块
- 下一篇：集成电感及其制造方法
