[发明专利]一种垂直MOSFET及其制造方法在审
| 申请号： | 201710117924.3 | 申请日： | 2017-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN107017306A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 秦长亮;殷华湘;李俊峰;赵超;刘实 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直MOSFET及其制造方法，该方法包括形成台阶结构的绝缘介质层；在所述绝缘介质层的台阶侧壁形成栅极侧墙，并沉积栅介质层；在所述栅介质层上沉积二维材料层形成沟道区；在所述台阶侧壁的两侧分别形成与所述沟道区连接的源极和漏极。本发明提供的器件，用以解决现有技术中二维材料器件的集成密度较差，不利于大规模应用的技术问题。实现了大大提高MOSFET器件的集成密度的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直MOSFET的制造方法，其特征在于，包括：形成台阶结构的绝缘介质层；在所述绝缘介质层的台阶侧壁形成栅极侧墙，并沉积栅介质层；在所述栅介质层上沉积二维材料层形成沟道区；在所述台阶侧壁的两侧分别形成与所述沟道区连接的源极和漏极。
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