[发明专利]过孔的制备方法、阵列基板的制备方法及阵列基板有效
申请号: | 201710117979.4 | 申请日: | 2017-03-01 |
公开(公告)号: | CN106707649B | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | 段献学;宫奎 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 230011 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 一种过孔的制备方法、阵列基板的制备方法以及阵列基板。该过孔的制备方法包括:提供衬底基板;在衬底基板上形成绝缘层;采用第一次刻蚀工艺刻蚀绝缘层以在绝缘层中形成凹槽;对绝缘层的由凹槽暴露的部分进行离子注入,以形成离子注入区;采用第二次刻蚀工艺刻蚀离子注入区内的绝缘层以形成贯穿绝缘层的过孔。该过孔的制备方法利用离子注入工艺,对绝缘层进行离子注入,增大离子注入区内的绝缘层密度,从而避免其被严重侧向刻蚀而产生底切倒角,提高了过孔的质量,保证了过孔的有效性,改善或消除了利用该过孔进行电连接的像素电极与源漏电极层之间接触跨断的不良现象。 | ||
搜索关键词: | 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种过孔的制备方法,包括:提供衬底基板;在所述衬底基板上形成绝缘层;采用第一次刻蚀工艺刻蚀所述绝缘层以在所述绝缘层中形成凹槽;对所述绝缘层的由所述凹槽暴露的部分进行离子注入,以形成离子注入区;采用第二次刻蚀工艺刻蚀所述离子注入区内的绝缘层以形成贯穿所述绝缘层的过孔。
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