[发明专利]混合型三维存储器在审
| 申请号： | 201710119051.X | 申请日： | 2017-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN108538840A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 成都海存艾匹科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种混合型三维存储器（3D‑Mx）,数据和代码存储在同一3D‑Mx芯片中。不需要高速读取但要求低成本的数据存储在大存储阵列中，需要高速读取而对成本不敏感的代码存储在小存储阵列中。 | ||
| 搜索关键词： | 三维存储器 存储阵列 代码存储 高速读取 数据存储 不敏感 低成本 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种混合型三维存储器（3D‑Mx），其特征在于包括：一存储数据的第一存储块(1a)，该第一存储块(1a)含有相互堆叠、包括第一最高存储层的多个存储层，该第一最高存储层只含有一第一存储阵列；一存储代码的第二存储块(1ac)，该第二存储块(1ac) 含有相互堆叠、包括第二最高存储层的多个存储层，该第二最高存储层只含有一第二存储阵列；该第一存储块(1a)与该第二存储块(1ac)肩并肩排列，该第一存储阵列比该第二存储阵列大。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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