[发明专利]一种磁场屏蔽法在审
申请号: | 201710119281.6 | 申请日: | 2017-03-02 |
公开(公告)号: | CN108539961A | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 郑向阳 | 申请(专利权)人: | 郑向阳 |
主分类号: | H02K53/00 | 分类号: | H02K53/00 |
代理公司: | 上海大邦律师事务所 31252 | 代理人: | 陈宏 |
地址: | 200136 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种磁场屏蔽法,第一磁体(A)与第二磁体(B)建立磁极对,第一磁体(A)连续通过第二磁体B的磁场区域,设定第一磁体(A)的运动方向的情况下,在第一磁体(A)所受负势力区,第一磁体A与第二磁体B的磁极表面运动轨迹面之间设置磁屏蔽件,以隔绝第一磁体A与第二磁体B的磁场联系,使第一磁体A所受负势力减小或为零,或减少负势力区域长度。使正势力作功大于负势力作功。 | ||
搜索关键词: | 磁场屏蔽 作功 磁极 磁场区域 磁极表面 磁屏蔽件 连续通过 运动轨迹 减小 磁场 | ||
【主权项】:
1.一种磁场屏蔽法,其特征在于:第一磁体(A)与第二磁体(B)建立磁极对,第一磁体(A)连续通过第二磁体B的磁场区域,设定第一磁体(A)的运动方向的情况下,在第一磁体(A)所受负势力区,第一磁体A与第二磁体B的磁极表面运动轨迹面之间设置磁屏蔽件,以隔绝第一磁体A与第二磁体B的磁场联系,使第一磁体A所受负势力减小或为零,或减少负势力区域长度。
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