[发明专利]太阳能电池片扩散方法

摘要

本发明提供一种太阳能电池片扩散方法。一种太阳能电池片扩散方法，包括以下步骤：将太阳能电池片放入扩散炉中进行进舟处理；将所述太阳能电池片进行中低温稳定处理；将所述太阳能电池片进行中低温沉积处理；将所述太阳能电池片进行边升温边推进处理；将所述太阳能电池片进行高温沉积处理；将所述太阳能电池片进行高温推进处理；将所述太阳能电池片进行边降温边推进处理；将所述太阳能电池片进行退火吸杂处理；及将所述太阳能电池片进行中低温出舟处理。上述太阳能电池片扩散方法能提高电池转换效率。

主权项

1.一种太阳能电池片扩散方法，其特征在于，按照先后顺序包括以下步骤：将太阳能电池片放入扩散炉中进行进舟处理，其中，所述进舟处理的时间为750s～850s，所述扩散炉的温度为800℃～850℃，大氮流量为28slm～30slm，进舟速度为250mm/min～350mm/min；将所述太阳能电池片进行中低温稳定处理，其中，所述中低温稳定处理的时间为180s～250s，所述扩散炉的温度与所述进舟处理时相同，大氮流量为22slm～25slm；将所述太阳能电池片进行中低温沉积处理，其中，所述中低温沉积处理的时间为500s～700s，所述扩散炉的温度为800℃～810℃，小氮流量为0.8slm～1.2slm，小氧流量为0.8slm～1.2slm，大氮流量为22slm～25slm；将所述太阳能电池片进行边升温边推进处理，其中，所述边升温边推进处理的时间500s～700s，所述扩散炉的温度为840℃～860℃，大氮流量22slm～25slm；将所述太阳能电池片进行高温沉积处理，其中，所述高温沉积处理的时间350‑450s，所述扩散炉的温度与所述边升温边推进处理时相同，小氮流量为1.5slm～1.7slm，小氧流量为1.5slm～1.7slm，大氮流量为22slm～25slm；将所述太阳能电池片进行高温推进处理，其中，所述高温推进处理的时间为300s～400s，所述扩散炉的温度与所述边升温边推进处理时相同，大氮流量为22slm～25slm；将所述太阳能电池片进行边降温边推进处理，其中，所述边降温边推进处理的时间为600s～700s，所述扩散炉的温度为600℃～700℃，大氮流量为22slm～25slm，氧气流量为2slm～3slm；将所述太阳能电池片进行退火吸杂处理，其中，所述退火吸杂处理的时间为500s～1400s，所述扩散炉的温度为600℃～700℃，大氮流量为22slm～25slm；及将所述太阳能电池片进行中低温出舟处理，其中，所述中低温出舟处理的时间为750s～850s，所述扩散炉的温度为800℃～810℃，大氮流量为28slm～30slm，出舟速度为250mm/min～350mm/min。