[发明专利]具有电压生成电路的半导体器件在审
| 申请号： | 201710121050.9 | 申请日： | 2013-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN106951020A | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 佐野真也;高桥保彦;堀口真志 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,吕世磊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明各实施方式总体上涉及具有电压生成电路的半导体器件。具体地，本发明提供了在广泛温度范围内输出高精度输出电压的电压生成电路。半导体器件具有电压生成电路。该电压生成电路具有输出参考电压的参考电压生成电路，以及用于生成校正电流并且将校正电流反馈至参考电压生成电路的多个校正电路。该校正电路生成从在校正电路之间变化的预先确定的温度向低温度侧或高温度侧单调增加的子校正电流。该校正电流是多个子校正电流的总和。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电压 生成 电路 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种具有电压生成电路的半导体器件，其中所述电压生成电路包括：参考电压生成电路，其输出参考电压；以及多个校正电路，其生成校正电流并将所述校正电流反馈至所述参考电压生成电路，其中所述校正电路中的每个校正电路生成子校正电流，所述子校正电流从在所述校正电路之间变化的预先确定的温度向低温度侧或高温度侧增加，以及其中所述校正电流是由所述校正电路生成的多个所述子校正电流的总和。
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