[发明专利]基于应变传感器电子装备功能形面特征点位移场重构方法有效

专利信息
申请号: 201710121235.X 申请日: 2017-03-02
公开(公告)号: CN107103111B 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: 王从思;薛敏;李娜;许谦;宋立伟;张树新;陈光达;王志海;庞毅;段宝岩;李鹏 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 姚咏华
地址: 710065 陕*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种基于应变传感器的电子装备功能形面特征点位移场重构方法,包括:确定电子装备功能形面的结构参数、材料属性及应变传感器分布的位置及数量,采集服役载荷作用下功能形面应变传感器测量的应变值,建立功能形面的结构有限元模型,功能形面模态分析,得到功能形面的模态振型、应变模态振型,提取应变传感器位置节点对应的应变模态振型矩阵,计算广义模态坐标,提取功能形面特征点对应的模态振型矩阵,重构出功能形面特征点的位移。本发明基于模态分析理论,在结构载荷信息未知的情况下,利用少量应变传感器测量的应变值重构出电子装备功能形面特征点的位移场,进而指导电子装备功能形面的结构变形补偿和电性能补偿。
搜索关键词: 基于 应变 传感器 电子 装备 功能 特征 位移 场重构 方法
【主权项】:
1.基于应变传感器的电子装备功能形面特征点位移场重构方法,其特征在于,包括下述步骤:(1)确定电子装备功能形面的结构参数、材料属性及应变传感器分布的位置和数量N;(2)通过应变传感器采集服役载荷作用下电子装备功能形面应变值;(3)根据电子装备功能形面的结构参数及材料属性,使用ANSYS软件建立电子装备功能形面的结构有限元模型;(4)利用ANSYS软件对电子装备功能形面的结构有限元模型进行模态分析,并根据模态分析的结果,提取功能形面前M阶模态,包括模态振型和应变模态振型;(5)从功能形面的应变模态振型中,提取应变传感器位置节点对应的应变模态振型矩阵;(6)根据步骤(2)中应变传感器测量的应变值与步骤(5)中应变传感器位置节点对应的应变模态振型矩阵,计算广义模态坐标;(7)从功能形面的模态振型中,提取功能形面特征点对应的模态振型矩阵;(8)结合步骤(6)计算出的广义模态坐标与步骤(7)提取的功能形面特征点对应的模态振型矩阵,重构出功能形面特征点的位移;步骤(6)按如下过程进行:(6a)根据模态叠加原理,载荷作用下功能形面结构的应变可表示为各阶应变模态的线性组合:式中,{q}={q1,q2,…,qM}表示广义模态坐标;表示的是第i阶模态对应的第sj节点的应变模态;(6b)根据步骤(2)中应变传感器测量的应变值{ε}与步骤(5)中应变传感器位置节点对应的应变模态振型矩阵[ψ]S,可求出广义模态坐标:{q}=(([ψ]S)T([ψ]S))‑1([ψ]S)T{ε};其中,T为矩阵转置符号;步骤(7)按如下过程进行:(7a)根据ANSYS软件网格划分的结果,确定功能形面特征点对应的节点编号:第1~P个特征点,对应的节点编号分别为c1,c2,…,cP;(7b)从功能形面前M阶模态的模态振型中,提取功能形面特征点(c1,c2,…,cP)对应的模态振型矩阵其中,表示第i阶模态对应的第cl节点的位移模态;步骤(8)中,结合步骤(6)计算出的广义模态坐标{q}={q1,q2,…,qM}与步骤(7)提取的功能形面特征点对应的模态振型矩阵重构出功能形面特征点的位移{δ}={δc1c2,…,δcP}:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学,未经西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710121235.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top