[发明专利]界面强化钼合金及其制备方法有效
| 申请号： | 201710121286.2 | 申请日： | 2017-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN107099716B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 龚星;刘彤;李锐;任啟森;薛佳祥;李思功;严俊;李雷;黄恒;武海龙;黄华伟;刘洋 | 申请（专利权）人： | 中广核研究院有限公司;中国广核集团有限公司;中国广核电力股份有限公司 |
| 主分类号： | C22C27/04 | 分类号： | C22C27/04;C22C1/05 |
| 代理公司： | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 | 代理人： | 林俭良;王少虹 |
| 地址： | 518031 广东省深圳市福田区上步中路*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种界面强化钼合金及其制备方法，钼合金包括以下质量百分比的成分：85％‑98％Mo、0.5％‑15％活性金属元素、0.1％‑5％碳化物以及0.1％‑5％稀土金属氧化物；所述钼合金具有钼‑活性金属相‑钼的强化界面。本发明通过活性金属分离钼‑钼弱结合界面，形成“钼‑活性金属相‑钼”的强化界面，同时利用超细/纳米碳化物与稀土氧化物的均匀复合弥散分布形成的大量微观界面吸收中子辐照产生的点缺陷，从而提高钼合金界面结合强度与韧性，并因此改善抗辐照脆化性能。 | ||
| 搜索关键词： | 界面 强化 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种界面强化钼合金，其特征在于，包括以下质量百分比的成分：85％‑98％Mo、0.5％‑15％活性金属元素、0.1％‑5％碳化物以及0.1％‑5％稀土金属氧化物；所述活性金属元素的熔点低于Mo的熔点；所述钼合金具有钼‑活性金属相‑钼的强化界面。
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