[发明专利]一种氧敏感性半导体氧化物纳米材料的制备及其应用有效
申请号: | 201710122191.2 | 申请日: | 2017-03-02 |
公开(公告)号: | CN106944030B | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 曹洋;赵伟;汪国庆;莫凡洋 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | B01J23/06 | 分类号: | B01J23/06;B01J21/06;B82Y30/00;B82Y40/00;G01N21/33;G01N21/359 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人: | 李稚婷 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公布了一种氧敏感性半导体氧化物纳米材料的制备及其应用。在无氧条件下,使含有B‑B键的联硼有机化合物负载在纳米TiO2和/或纳米ZnO颗粒上,得到含Ti3+的蓝色TiO2和/或含Zn+的蓝色ZnO纳米材料。该制备方法简单、安全、高效,所制备的蓝色二氧化钛和/或氧化锌纳米材料对气氛中痕量的氧气有敏感的响应能力,可以作为氧检测剂,同时还可应用于光催化、能源储存转化等领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 敏感性 半导体 氧化物 纳米 材料 制备 及其 应用 | ||
【主权项】:
1.一种氧敏感性半导体氧化物纳米材料的制备方法,在无氧条件下,使含有B‑B键的联硼有机化合物负载在纳米TiO2和/或纳米ZnO颗粒上,得到含Ti3+的蓝色TiO2和/或含Zn+的蓝色ZnO纳米材料。
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