[发明专利]P型PERC双面太阳能电池及其组件、系统和制备方法有效
申请号: | 201710122403.7 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN106952972B | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 林纲正;方结彬;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱旭科技股份有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种P型PERC双面太阳能电池,依次包括背银电极、背铝栅线、背面钝化层、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极;对背面钝化层通过激光开槽形成激光开槽区,所述背铝栅线通过激光开槽区与P型硅相连;所述激光开槽区包括多组水平方向设置的激光开槽单元,每一组激光开槽单元包括一个或多个水平方向设置的激光开槽体,所述背铝栅线与激光开槽体垂直。采用本发明,结构简单,成本较低、易于推广、光电转换效率高。 | ||
搜索关键词: | perc 双面 太阳能电池 及其 组件 系统 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种P型PERC双面太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:(1)在硅片正面和背面形成绒面,所述硅片为P型硅;(2)对硅片进行扩散,形成N型发射极;(3)去除扩散过程形成的正面磷硅玻璃和周边PN结;(4)在硅片背面沉积三氧化二铝膜;(5)在硅片背面沉积氮化硅膜;(6)在硅片正面沉积氮化硅膜;(7)对硅片背面激光开槽,形成激光开槽区,所述激光开槽区包括多组水平方向设置的激光开槽单元,每一组激光开槽单元包括一个或多个水平方向设置的激光开槽体;(8)在所述硅片背面印刷背银主栅电极;(9)在所述硅片背面,沿着激光开槽的垂直方向印刷铝浆,得到背铝栅线,所述背铝栅线与激光开槽体垂直;(10)在所述硅片正面印刷正电极浆料;(11)对硅片进行高温烧结,形成背银电极和正银电极;(12)对硅片进行抗LID退火;所述P型PERC双面太阳能电池依次包括背银电极、背铝栅线、背面钝化层、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极;对背面钝化层通过激光开槽形成激光开槽区,所述背铝栅线通过激光开槽区与P型硅相连;所述激光开槽区包括多组水平方向设置的激光开槽单元,每一组激光开槽单元包括一个或多个水平方向设置的激光开槽体,所述背铝栅线与激光开槽体垂直。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的