[发明专利]一种并联稳压电路有效
| 申请号： | 201710122932.7 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN106774601B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 甄少伟;陶金;黄锴;王康乐;罗萍;贺雅娟;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/575 | 分类号： | G05F1/575 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种并联稳压电路，属于电子集成电路技术领域。包括由第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一电阻R1和第二电阻R2组成的基准部分，以及由第二三极管Q2、第三电阻R3、第四电阻R4、第三PMOS管M3和第一电容C1构成的反馈部分，实现了齐纳管的I‑V特性，可替代齐纳管在电路中工作。本发明可利用普通BCD工艺实现，工艺简单；具有较小的静态电流，降低了功耗；采用负反馈结构实现并联稳压结构，有较高的稳压精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 并联 稳压 电路 | ||
【主权项】：
一种并联稳压电路，包括第一PMOS管(M1)、第二PMOS管(M2)、第三PMOS管(M3)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)和第一电容(C1)，其特征在于，所述第一PMOS管(M1)和第二PMOS管(M2)构成电流镜，第一PMOS管(M1)的栅极和漏极互连并连接第二PMOS管(M2)的栅极和第一三极管(Q1)的集电极，第一PMOS管(M1)、第二PMOS管(M2)和第三PMOS管(M3)的源极相连，第一PMOS管(M1)的源极作为所述并联稳压电路的输入端和输出端，第二PMOS管(M2)的漏极连接第三PMOS管(M3)的栅极和第二三极管(Q2)的集电极；第一电容(C1)连接在第三PMOS管(M3)的源极和栅极之间，第三PMOS管(M3)的漏极接地；第一三极管(Q1)的发射极通过第一电阻(R1)和第二电阻(R2)的串联结构后接地，第一电阻(R1)和第二电阻(R2)的串联点接第二三极管(Q2)的发射极，第二PMOS管(M2)的源极通过第三电阻(R3)和第四电阻(R4)的串联结构后接地，第一三极管(Q1)和第二三极管(Q2)的基极相连并连接第三电阻(R3)和第四电阻(R4)的串联点。
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