[发明专利]真空阴极弧离子镀装置及控制弧斑刻蚀区域的方法

摘要

本发明提供一种真空阴极弧离子镀装置及控制弧斑刻蚀区域的方法，装置包括靶座系统、磁过滤系统、控制电路以及真空室，磁过滤系统包括磁过滤弯管和至少一组线圈；靶座系统包括靶材、控制弧斑沿着跑道型轨迹运动的靶磁场、稳弧线圈产生的稳弧磁场，这两种磁场共同形成该靶材表面的靶面磁场；控制电路包括控制线圈电流大小的线圈电流控制器，线圈电流控制器通过改变电流来改变磁过滤磁场与靶面磁场形成的叠加磁场，以控制靶材的刻蚀区域和刻蚀轨迹。本发明实现了弧斑运动的可控性，提高了靶材的利用率，尤其使大尺寸矩形靶镀膜设备可以有效得对小面积镀膜件进行镀膜，而不会形成靶材的浪费，且刻蚀区域的缩小，也能够使离子聚焦，沉积效率大大提高。

主权项

1.一种真空阴极弧离子镀控制弧斑刻蚀区域的方法，包括下述步骤：靶材的刻蚀范围需要改变时，为磁过滤器上的线圈施加不同大小的电流值，使磁过滤器上的线圈产生的磁过滤磁场发生变化，当所述磁过滤磁场与靶面磁场叠加后，弧斑的运动轨迹也会相应得发生变化，从而使靶材刻蚀区域可控，其中，对磁过滤器线圈的施加较小的所述电流值，使靶面刻蚀轨道靠近靶材表面的边缘，或者对磁过滤器线圈施加较大的所述电流值，使靶面刻蚀轨道向靶材的中心位置收缩。