[发明专利]半导体装置及形成半导体装置的方法

摘要

公开了一种半导体装置及形成半导体装置的方法。半导体装置的n沟道组件包括第一水平纳米片(hNS)堆叠件，p沟道组件包括第二hNS堆叠件。第一hNS堆叠件包括具有多个第一牺牲层和至少一个第一沟道层的第一栅极结构。第一内部间隔件设置在至少一个第一牺牲层和第一源极/漏极结构之间，其中，第一内部间隔件具有第一长度。第二hNS堆叠件包括具有多个第二牺牲层和至少一个第二沟道层的第二栅极结构。第二内部间隔件设置在至少一个第二牺牲层与第二源极/漏极结构之间，其中，第二内部间隔件具有比第一长度大的第二长度。

主权项

一种半导体装置，所述半导体装置包括：n沟道组件，包括第一水平纳米片堆叠件和第一源极/漏极结构，第一水平纳米片堆叠件包括位于下层上的多个第一牺牲层和至少一个第一沟道层，所述多个第一牺牲层中的一个与下层接触，所述至少一个第一沟道层中的每个与所述多个第一牺牲层中的至少一个接触，第一源极/漏极结构设置在由第一水平纳米片堆叠件形成的沟道长度的一端处，第一内部间隔件设置在所述多个第一牺牲层中的至少一个与第一源极/漏极结构之间，第一内部间隔件包括第一长度；以及p沟道组件，包括第二水平纳米片堆叠件和第二源极/漏极结构，第二水平纳米片堆叠件包括位于所述下层上的多个第二牺牲层和至少一个第二沟道层，所述多个第二牺牲层中的一个与所述下层接触，所述至少一个第二沟道层中的每个与所述多个第二牺牲层中的至少一个接触，第二源极/漏极结构设置在由第二水平纳米片堆叠件形成的沟道长度的一端处，第二内部间隔件设置在所述多个第二牺牲层中的至少一个与第二源极/漏极结构之间，第二内部间隔件具有比第一长度大的第二长度。