[发明专利]一种改进型P型PERC双面太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201710124040.0 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN106876499A | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 方结彬;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司44104 | 代理人: | 侯莉 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开一种改进型P型PERC双面太阳能电池及其制备方法,包括从下至上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极,背电极主要由呈垂直相交的背极主栅线和背极副栅线相连而成,在背面氮化硅膜上开有贯通背面氮化硅膜和氧化铝膜的开槽,P型硅露于开槽中,背极副栅线主要由背铝栅线和背银栅线组成,背铝栅线位于开槽内的部分与P型硅相连,沿着背铝栅线露于开槽外的部分的外表面设置有背银栅线。本发明可改善原有背极副栅线的导电性,降低双面太阳能电池的串阻,提高双面太阳能电池的光电转换效率。本发明的制备工艺简单,设备投入成本低,与现有生产线兼容性好。 | ||
搜索关键词: | 一种 改进型 perc 双面 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种改进型P型PERC双面太阳能电池,包括从下至上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极,所述背电极主要由呈垂直相交的背极主栅线和背极副栅线相连而成,在所述背面氮化硅膜上开有贯通背面氮化硅膜和氧化铝膜的开槽,所述P型硅露于所述开槽中,其特征在于:所述背极副栅线主要由背铝栅线和背银栅线组成,背铝栅线位于开槽内的部分与所述P型硅相连,沿着背铝栅线露于开槽外的部分的外表面设置有背银栅线。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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