[发明专利]一种(001)晶面暴露的纳米硅酸盐材料及制备方法

摘要

本发明提供了一种(001)晶面暴露的纳米硅酸盐材料，材料粉体粒径为纳米级，正交晶系，在高分辨透射电子显微镜下显示有带轴斑点。其制备方法是将锂盐与硅源加入至有机介质溶剂1，得到溶液1；将金属M的盐加入到有机介质溶剂2，M为Fe、Mn或Co中的一种，得到溶液2；将溶液2滴加到溶液1中再将混合溶液于2‑10Mpa压力，150～250℃温度下反应6‑120小时，经后处理得到(001)晶面暴露的硅酸盐材料。本发明的材料由于(001)晶面暴露，材料中锂离子实现了快速迁移，使得本发明的材料在用于锂离子电池正极材料时，其电化学性能优良。另外本发明该方法可重复性高，制备工艺简单。

主权项

1.一种制备(001)晶面暴露的硅酸盐材料的方法，其特征在于：包括以下步骤，(Ⅰ)在20～60℃温度下，将锂盐加入至有机介质溶剂1中至锂盐完全溶解后，加入碱性无机物，使体系中的pH值为10～14，再向体系中加入一定量的可提供硅源的化合物，至其完全溶解，体系中锂盐与硅元素的摩尔比为2‑8：1，得到溶液1；将金属M的二价盐加入到有机介质溶剂2，M为Fe、Mn或Co中的一种，至金属M的二价盐完全溶解，得到溶液2；所述碱性无机物为碱金属氢氧化物或氨水中的一种或两种以上的混合物；(Ⅱ)将溶液2滴加到溶液1中，得到的混合溶液中金属M与硅元素的摩尔比为1：1，pH值为10～14，随后混合溶液于2～10Mpa压力，120～250℃温度下反应6～120小时，经后处理得到(001)晶面暴露的硅酸盐材料。