[发明专利]一种以In2O3为靶材制备InN薄膜材料的方法有效
| 申请号： | 201710124149.4 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN107012423B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 王雪文;张繁;吴朝科;翟春雪;张志勇;赵武;张远 | 申请（专利权）人： | 西北大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人： | 李婷 |
| 地址： | 710069 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InN薄膜的制备方法，包括以下步骤，用丙酮、四氯化碳、无水乙醇和去离子水清洗硅片；清洗后的硅片进行磁控溅射沉积InN薄膜。本发明研究首次采用In2O3靶，在溅射温度600℃，溅射压强0.6Pa时，生长出纯的InN薄膜材料，且微观形貌颗粒逐渐增大、结晶质量好、纯度高、没有杂质生成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 in2o3 制备 inn 薄膜 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种以In2O3为靶材制备InN薄膜材料的方法，包括以下步骤，用丙酮、四氯化碳、无水乙醇和去离子水清洗硅片；清洗后的硅片进行磁控溅射沉积InN薄膜；其特征在于，磁控溅射沉积时，腔室温度为600℃，溅射压强为0.6Pa或腔室温度为500℃，溅射压强为1.2～1.8Pa；溅射气体为Ar:N2＝20:20sccm；磁控溅射功率为80～90W。
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