[发明专利]P型PERC太阳能电池的制备方法、电池、组件和系统在审
| 申请号： | 201710124821.X | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN107068790A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 何达能;方结彬;陈刚 | 申请（专利权）人： | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528100 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型PERC太阳能电池的制备方法，包括以下步骤（1）在硅片正面形成绒面；（2）在硅片正面进行扩散，形成N型发射极；（3）去除磷硅玻璃和周边PN结；（4）在硅片背面沉积氧化铝膜；（5）采用PECVD双面沉积设备，在硅片的正面和背面同时沉积氮化硅膜；（6）对硅片背面进行激光开槽；（7）在硅片背面印刷背面电极浆料，烘干；（8）在硅片背面印刷铝浆，烘干；（9）在硅片正面印刷正面电极浆料；（10）对硅片进行高温烧结，形成背面电极、全铝背电场和正面电极；（11）对硅片进行抗LID退火，制得P型PERC太阳能电池。本发明还公开了一种P型PERC太阳能电池、组件和系统。采用本发明，可提高生产效率，减少硅片的划伤。 | ||
| 搜索关键词： | perc 太阳能电池 制备 方法 电池 组件 系统 | ||
【主权项】：
一种P型PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在硅片正面形成绒面，所述硅片为P型硅；（2）在硅片正面进行扩散，形成N型发射极；（3）去除扩散过程形成的磷硅玻璃和周边PN结；（4）在硅片背面沉积氧化铝膜；（5）采用PECVD双面沉积设备，在硅片的正面和背面同时沉积氮化硅膜；（6）对硅片背面进行激光开槽；（7）在硅片背面印刷背面电极浆料，烘干；（8）在硅片背面印刷铝浆，烘干；（9）在硅片正面印刷正面电极浆料；（10）对硅片进行高温烧结，形成背面电极、全铝背电场和正面电极；（11）对硅片进行抗LID退火，制得P型PERC太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
