[发明专利]一种四进制电存储器件及其制备方法与四进制存储材料有效
| 申请号： | 201710125092.X | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN107086270B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 路建美;贺竞辉 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56;C07C251/20 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;孙周强 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种四进制电存储器件及其制备方法与四进制存储材料，电存储器件包括基底、有机物膜、电极；所述基底为3,4‑乙烯二氧噻吩的聚合物与聚苯乙烯磺酸的共混物修饰的ITO玻璃。本发明提供的四进制有机电存储器件具有低开启电压，高器件产率；本发明的修饰后的电存储器件突破了传统的二级存储，能够意想不到的实现有机四进制存储，实现了，“0”、“1”、“2”和“3”四进制数据存储，避免了通过分子合成和结构来实现有机多进制的难题，这为实现多进制提供了一个简单而又有效的策略，对于未来的存储领域具有很高的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 四进制电 存储 器件 及其 制备 方法 四进制 材料 | ||
【主权项】：
1.一种四进制电存储器件，其特征在于，所述电存储器件包括基底、有机物膜、电极；所述有机物膜由式Ⅰ化合物制备得到；所述基底为3,4‑乙烯二氧噻吩的聚合物与聚苯乙烯磺酸的共混物修饰的ITO玻璃；![]()
。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学，未经苏州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710125092.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：存储器结构
- 下一篇：一种伺服刀塔中的主轴旋转控制结构
