[发明专利]单相高频链矩阵式整流器的新型单极性倍频SPWM调制方法有效
申请号: | 201710125120.8 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN106655842B | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 闫朝阳;李春蕾;刘爽;赵丁选;梁晨阳 | 申请(专利权)人: | 燕山大学 |
主分类号: | H02M7/219 | 分类号: | H02M7/219 |
代理公司: | 秦皇岛一诚知识产权事务所(普通合伙) 13116 | 代理人: | 李合印 |
地址: | 066004 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 一种单相高频链矩阵式整流器的新型单极性倍频SPWM调制方法,单相高频链矩阵式整流器拓扑由交流输入电压Us、LC输入滤波器、矩阵变换器、高频变压器、后级不控二极管、L型滤波器、负载Rdc依次连接构成。所述调制方法是两个正负正弦调制波与同一个三角载波信号进行比较,调制生成四个SPWM波,再进行结耦,即与高频方波信号Vp和Vn进行“与”逻辑合成后得到八路驱动波,再进行“或”逻辑合成得到四路Sah、Sal、Sbh、Sbl驱动波,即Snal和Spah共用一个驱动信号Sah,Snah和Spal共用一个驱动信号Sal,Snbl和Spbh共用一个驱动信号Sbh,Snbh和Spbl共用一个驱动信号Sbl。本方法可解决因变压器漏感的存在导致的原边电流ip没有流通路径而产生原边电压尖峰的问题。并且有较少开关损耗和较好的输出电压波形质量。 | ||
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【主权项】:
1.一种单相高频链矩阵式整流器的单极性倍频SPWM调制方法,其特征在于:单相高频链矩阵式变换器由交流输入电压Us、LC输入滤波器、矩阵变换器、高频变压器T、后级不控二极管整流桥、L型滤波器、电阻Rdc依次连接构成;其中,LC输入滤波器由电感Lf、电阻Rs和电容Cf组成;矩阵式变换器由可控开关管Spah、可控开关管Spal、可控开关管Spbh、可控开关管Spbl、可控开关管Snah、可控开关管Snal、可控开关管Snbh、可控开关管Snbl组成;后级不控二极管整流桥由二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4组成;L型滤波器为电感Ldc;交流输入电压Us的一端与电感Lf的一端连接,电感Lf的另一端与电阻Rs的一端连接,电阻Rs的另一端分别与电容Cf一端、可控开关管Spah集电极、可控开关管Snah集电极连接;交流输入电压Us的另一端分别与电容Cf另一端、可控开关管Snbh集电极、可控开关管Spbh集电极连接;可控开关管Spah的发射极与可控开关管Snal发射极连接,可控开关管Snal集电极分别与可控开关管Snbl集电极、高频变压器T左侧绕组顶端连接,可控开关管Snbl发射极与可控开关管Spbh发射极连接;可控开关管Snah发射极与可控开关管Spal发射极连接,可控开关管Spal集电极分别与可控开关管Spbl集电极、高频变压器T左侧绕组底端连接,可控开关管Spbl发射极与可控开关管Snbh发射极连接;高频变压器T右侧绕组顶端与二极管D1阳极、二极管D2阴极连接;高频变压器T右侧绕组底端与二极管D3阳极、二极管D4阴极连接;二极管D1阴极分别与二极管D3阴极、电感Ldc一端连接;二极管D2阳极分别与二极管D4阳极、电阻Rdc一端连接;电阻Rdc另一端与电感Ldc另一端连接;所述调制方法是将两个正负的50HZ正弦调制波与同一个三角载波信号进行比较,调制生成四个SPWM波spwm1、spwm2、spwm3和spwm4;四个SPWM波再进行结耦,即与高频方波信号Vp和Vn进行“与”逻辑合成后得到八路驱动波Snal、Spah、Snah、Spal、Snbl、Spbh、Snbh和Spbl,即spwm3与Vp进行“与”逻辑得到Snal,spwm1与Vn进行“与”逻辑得到Spah,spwm1与Vp进行“与”逻辑得到Snah,spwm3与Vn进行“与”逻辑得到Spal,Spwm4与Vp进行“与”逻辑得到Snbl,spwm2与Vn进行“与”逻辑得到Spbh,spwm2与Vp进行“与”逻辑得到Snbh,spwm4与Vn进行“与”逻辑得到Spbl;八路驱动波再进行“或”逻辑合成得到四路Sah、Sal、Sbh、Sbl驱动波,即Snal与Spah进行“或”逻辑得到Sah,Snah与Spal进行“或”逻辑得到Sal,Snbl与Spbh进行“或”逻辑得到Sbh,Snbh和Spbl进行“或”逻辑得到Sbl,即Snal和Spah共用一个驱动信号Sah,Snah和Spal共用一个驱动信号Sal,Snbl和Spbh共用一个驱动信号Sbh,Snbh和Spbl共用一个驱动信号Sbl。
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